Sezyum klorür (cscl) yapıdaki ırx (x=al, sc ve ga) bileşiklerinin yapısal, elektronik ve fonon özelliklerinin yoğunluk fonksiyonel teorisi ile incelenmesi

Abstract

Bu tezde, IrX (X=Al, Sc and Ga) bileşiklerinin B2 (CsCl) yapısındaki elastik, elektronik ve fonon özellikleri ab initio pseudopotansiyel metodu ve Yoğunluk fonksiyonel teorisinin (YFT) genelleştirilmiş eğim yaklaşım (GEY) içerisindeki lineer tepki yaklaşımı ile detaylı olarak çalışıldı. Örgü parametresi, bulk modülü ve bulk modülünün birinci türevi gibi temel durum özellikleri değerlendirildi. Elastik sabitleri fonon dispersiyon eğrilerinden hesaplandı. IrX (X=Al, Sc and Ga) bileşiğinin elektronik bant yapılarının Fermi seviyesine ana katkısı Ir-5d durumundan geldiği görülmektedir. Fonon dağınım eğrileri ve toplam ve parçalı fonon durum yoğunlukları lineer tepki metoduna bağlı olarak tüm materyal için incelendi.

In this thesis, the elastic, electronic, and phonon properties of the compounds IrX (X=Al, Sc and Ga) in the B2 (CsCl) structure have been investigated in detail by employing an ab initio pseudopotential method and a linear-response technique within a generalized gradient approximation (GGA) of the density functional theory (DFT) scheme. The ground state quantities such as lattice parameter, bulk modulus and first-order pressure derivative of the bulk modulus, were evaluated. The elastic constants are calculated from the phonon dispersion curves. The electronic band structures of IrX (X=Al, Sc and Ga) show that at the Fermi level, a major part of the contribution comes from Ir 5d states. The phonon-dispersion curves and phonon total and partial density of states based on the linear-response method have been investigated for all materials.