Yüksek Basınç Altında MgI2 Bileşiğinin Yapısal ve Elektronik Özelliklerinin Yoğunluk Fonksiyonel Teorisi İle İncelenmesi
Yükleniyor...
Dosyalar
Tarih
Yazarlar
Dergi Başlığı
Dergi ISSN
Cilt Başlığı
Yayıncı
Kırşehir Ahi Evran Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü
Erişim Hakkı
info:eu-repo/semantics/openAccess
Özet
Yüksek basınç altında MgI2 bileşiğinin yapısal ve elektronik özellikleri, yoğunluk fonksiyonel teorisi kullanılarak SIESTA paket programı ile hesaplanmıştır.
Açıklama
Anahtar Kelimeler
DFT, Toplam Enerji, Entalpi, Faz Geçişi, Elektronik Özellikler
Kaynak
WoS Q Değeri
Scopus Q Değeri
Cilt
Sayı
Künye
Akanay, Hakan. Yüksek Basınç Altında MgI2 Bileşiğinin Yapısal ve Elektronik Özelliklerinin Yoğunluk Fonksiyonel Teorisi İle İncelenmesi. Yüksek Lisans Tezi, Kırşehir Ahi Evran Üniversitesi, 2025.
